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掩模對準光刻系統(tǒng)

簡要描述:EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在最小的占位面積上提供了優(yōu)于其他品牌的掩模對準技術(shù),并具有最高的產(chǎn)能,優(yōu)良的對準功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,最短的掩模和工具更換時間以及高效的*服務和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統(tǒng)有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能。

  • 產(chǎn)品型號:EVG6200 NT
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:
  • 更新時間:2026-04-27
  • 訪  問  量: 7040

詳細介紹

特色:EVG ® 6200 NT掩模對準器為光學雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達200毫米。

技術(shù)數(shù)據(jù):EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在最小的占位面積上提供了優(yōu)于與其他品牌的掩模對準技術(shù),并具有最高的產(chǎn)能,優(yōu)良的對準功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,最短的掩模和工具更換時間以及高效的*服務和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統(tǒng)有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能,可在廣泛的應用中實現(xiàn)出色的曝光效果,例如薄和厚光刻膠的曝光,深腔和類似地形的圖案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半導體)的加工。此外,半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。

EVG6200 NT特征:

晶圓/基板尺寸小到200 mm / 8''

系統(tǒng)設計支持光刻工藝的多功能性

在第一次光刻模式下的吞吐量高達180 WPH,在自動對準模式下的吞吐量高達140 WPH

易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列

自動原點功能,用于對準鍵的精確居中

具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準功能

支持最新的UV-LED技術(shù)

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)

自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能

可以從半自動版本升級到全自動版本

最小化系統(tǒng)占地面積和設施要求

多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言)

優(yōu)良的軟件功能以及研發(fā)與全面生產(chǎn)之間的兼容性

便捷處理和轉(zhuǎn)換重組

遠程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性

臺式或帶防震花崗巖臺的單機版

 

EVG6200 NT附加功能:

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻(NIL)

 

EVG6200 NT技術(shù)數(shù)據(jù):

曝光源

汞光源/紫外線LED光源

優(yōu)良的對準功能

手動對準/原位對準驗證

自動對準

動態(tài)對準/自動邊緣對準

對準偏移校正算法

 

EVG6200 NT產(chǎn)能:

全自動:第一批生產(chǎn)量:每小時180片

全自動:吞吐量對準:每小時140片晶圓

晶圓直徑(基板尺寸):高達200毫米

 

對準方式:

上側(cè)對準:≤±0.5 µm

底側(cè)對準:≤±1,0 µm

紅外校準:≤±2,0 µm /具體取決于基板材料

鍵對準:≤±2,0 µm

NIL對準:≤±3.0 µm

曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補償:全自動軟件控制

曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光


系統(tǒng)控制

操作系統(tǒng):Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數(shù)

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR

實時遠程訪問,診斷和故障排除

工業(yè)自動化功能:盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術(shù):SmartNIL

 

EVG6200 NT/Gen2 掩模對準光刻系統(tǒng)是打通研發(fā)小試到規(guī)模化量產(chǎn)的雙面光刻平臺,專為MEMS、化合物半導體、先進封裝、功率器件、微納光學等領域打造,最大支持 200mm(8 英寸)晶圓及碎片基板,可穩(wěn)定處理薄脆、翹曲、異形等特殊基板,兼容硅、玻璃、藍寶石、碳化硅等多種材料。系統(tǒng)搭載動態(tài)對準 + 實時偏移校正算法,配合全自動無接觸楔形補償,在真空/硬/軟/接近/ 彎曲全模式曝光下,實現(xiàn)正面≤±0.5μm、背面≤±1μm 的高精度套刻,保障厚膠、深腔結(jié)構(gòu)與復雜形貌的圖形轉(zhuǎn)移EV Group。

設備原生支持 EVG 專屬SmartNIL 納米壓印技術(shù),一機覆蓋紫外光刻與 NIL 雙制程,大幅提升設備利用率與工藝拓展性EV Group。標配汞燈與新一代 UV-LED 雙曝光光源,能耗更低、波長更穩(wěn)、壽命更長,適配更多光敏壓印材料。全自動模式下光刻產(chǎn)能高達 180WPH、對準模式 140WPH,短時間掩模 / 治具切換、靈活晶圓盒與返工分揀管理,顯著提升產(chǎn)線節(jié)拍、降低總擁有成本。

系統(tǒng)支持半自動→全自動平滑升級,兼容 SMIF/FOUP/SECS/GEM 工業(yè)通信標準,可無縫接入自動化產(chǎn)線,實現(xiàn)研發(fā)成果快速量產(chǎn)轉(zhuǎn)化。集成振動隔離結(jié)構(gòu),搭配防震花崗巖臺選項,在普通車間即可穩(wěn)定運行;多語言 GUI、遠程診斷與分級用戶權(quán)限,兼顧高校科研的精細調(diào)控與工廠量產(chǎn)的高效管控,以極小占地面積與優(yōu)異可靠性,成為微納加工領域的理想掩模對準裝備EV Group。

 

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